周期表物質、先端材料、安定同位体(アイソトープ)、HPHTダイヤモンド等のお求めはTPSにご用命ください。

HPHTダイヤモンド単結晶

TPSは、HPHT(高温高圧)法で高品質のHPHTダイヤモンドの製造技術をもつ、 モスクワの『ロシア国立 超硬および新炭素材料技術研究所(TISNCM)』の日本総代理店です。

超硬ダイヤモンド単結晶のプロパティ
  • サイズ: ~8 ㎜
  • 窒素濃度: 0.5~ 2.0 ppm
  • 熱伝導率: 2000 W/m・К以上
  • 光透過性: 225 nm ~ 25 μm
  • 結晶構造の高い完全性
  • 発光:15~30 (ratio of the second-order Raman spectrum intensity to background luminescence)
  • 高い抵抗率: ~10^12
応用分野:
  • 強力レーザーの光学窓
  • 紫外線、X線、高エネルギー粒子の測定
  • 光電子工学機器の部品
  • 物質特性および超高圧(~2.5Mbar)下での相転移特性研究用ダイヤモンド・アンビル
  • 電子機器のヒートシンク
  • 走査型プローブ顕微鏡のプローブ
  • CVDダイヤモンドのホモエピタキシャル成長用基板
応用例1
HPHTダイヤモンドの見積・お問い合わせの際は仕様をご指定ください。
仕様例

1)HPHT monocrystal diamond plate type IIa
Dimension : 3.0x3.0x0.3mm
Crystallographic orientation : (111)
Surface finish : Polished on both sides
With a notch on a edge

2) HPHT monocrystal diamond plate type Ib
Dimension :D6.0x0.3mm
Crystallographic orientation : (10 1 1)
Surface finish : Polished on both sides
Nitrogen concentration:abt. 80 ppm

  • ダイヤモンドタイプ:IIa, Ia, IIb, Ib
  • 寸法:
  • 結晶方位
  • 表面研磨(通常、両面を機械研磨)
  • 切り欠けの有無
  • 窒素濃度、ボロン濃度など

納期は10~13週間(約3ヵ月)を要します。